型号:TPS1100DRG4 | 类别:FET - 单 | 制造商:Texas Instruments |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC |
系列 | - |
制造商 | Texas Instruments |
FET型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 15V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 1.6A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 180 毫欧 @ 1.5A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 1.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 5.45nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | - |
功率_最大 | 791mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOIC |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市恒佳微电子有限公司 | 朱经理、张小姐0755-82533156 82710336 |
深圳市楷瑞达科技电子有限公司 | 朱先生13528893675 |
深圳市集创讯科技有限公司 | 吴小姐0755-83244680/82865294 |
深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
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